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IRFR1N60A, IRFU1N60A, SiHFR1N60A, SiHFU1N60A
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Vishay Siliconix
10000
V GS = 0V, f = 1MHz
10
C rss gd
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
=C
C oss =C ds +C gd
1000
100
C iss
1
T J = 150 ° C
10
C oss
T J = 25 ° C
1
1
10
C rss
100
1000
A
0.1
0.4
0.6
0.8
V GS = 0 V
1.0        1.2
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
20
16
I D = 1.4A
V DS = 480V
V DS = 300V
V DS = 120V
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10
12
8
4
1
10us
100us
1ms
0
0
2
4
6
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
8 10    12    14
0.1
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
10
100
10ms
1000
10000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
S13-0171-Rev. D, 04-Feb-13
4
Document Number: 91267
For technical questions, contact: hvm@vishay.com
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